test(실험) 6예비보고서. BJT amplifier - DC bias
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작성일 20-05-05 14:29
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실험6. BJT amplifier - DC bias
(예비보고서)
1.실험목적
(1)BJT회로에서 바이어스 점 결정을 위한 DC바이어스 회로에 대해 공부한다.
(3)자기 바이어스 회로에서 BJTproperty(특성)에 무관한 동작을 위한 회로 구성을 실험을 통해 알아본다. 각 모드에서 transistor의 물리적 property(특성)과 외부에 연결된 회로에 의해 transistor의 바이어스 점이 결정된다 차단모드와 포화모드에서의 transistor는 스위치 동작을 사용하는데 차단 모드에서는 이미터에서 컬렉터로 매우 작은 양의 역방향 전류만 흐르게 되는 반면 포화 모드에서는 컬렉터에서 이미터가 단락된 형태의 많은 양의 전류가 흐르게 된다 전류량은 연결된 회로에 의해 결정되는데 차단 모드와 포과모드에서의 동작은 주로 디지털 회로에서 사용된다 일그러짐 없는 증폭을 위해서는 입력 신호가 transistor property(특성) 곡선의 선형 영역에서 동작하도록 베이스가 바이어스 되어야한다 그렇지 않으면 그림 6-1과 같이 포화 또는 차단 영역에 있게된다 그러므로 transistor를 바이어스 시키는 방법이 주어진 입력 신호레벨에 대해 발생되는 출력을 결정한다.
식 6-3의 컬렉터 전류는 트렌지스터의 순방향 전류 전달비 베타와 베이스…(생략(省略))
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test(실험) 6예비보고서. BJT amplifier - DC bias
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설명
다.
(2)하나의 저항을 이용한 간단한 바이어스 회로와 두 개의 저항으로 구성되는 전압분배 회로의 바이어스 회로의 장단점을 실험 측정(測定) 을 통해 확인한다.
2.기초이론(理論)
BJT는 차단모드 포화모드 능동모드의 세가지 영역에서 동작한다.
1개의 저항을 이용하는 간단한 BJT바이어스 회로
그림 6-2와 같이 상대적으로 매우 큰 1개의 저항을 전원가 베이스 사이에 연결하여 BJT의 바이어스 회로 구현이 가능하다 바이어스 저항의 양단의 전압 강하는 RbIb로 표현되어
의 관계를 가지므로 베이스 전류와 컬렉터 전류는 각각 식 6-2 , 6-3 과 같다.
