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[발표ppt]CVD

설명

_SLIDE_1_
Chemical
Vapor
Deposition
_SLIDE_2_
목차
1. CVD란
2. CVD공정
3. 저온 CVD
4. PECVD
5. CVD의 안전보완
_SLIDE_3_

CVD 란
reaction 기에 주입된 기체들이 가열된 기판 위에서 화학reaction 을 통하여 박막을 형성하는 공정
반도체, 절연막, 금속막 등의 박막을 형성하는 대표적 방법
_SLIDE_4_

CVD reaction 의 종류
열분해
SiH4
Si + 2H2(600~1100℃)
환원
WF6+3H2
W + ^HF (300℃)
산화
SiH4+2O2
SiO2+ 2H2O (400℃)
질화
3SiH4+ 4NH3
Si3N4+ 12H2(900℃)
탄화
2SiH4+ C2H4
2SiC + 6H2
합성reaction
(CH)3Ga + AsH3
GaAs + 3CH4(700℃)
_SLIDE_5_

PVD & CVD

PVD
CVD

공정 분위기
고진공 진공 環境( chamber 필요 )
진공, 감압,
상압의 環境
( reaction 조 필요 )
코팅 물질 초기형태
고체 상태
혼합기체상태
(가스상태)
코팅 물질 중간 형태
기체 상태(기화)
기체 상태(분해)
코팅 물질 최종 형태
피막 형성
피막 형성
_SLIDE_6_

CVD 의 종류

기판과
reaction 기벽의 온도
reaction 기
내부의 압력
활성화 에너지
공급방법
reaction 온도
Hot wall CVD
Cold wall CVD
APCVD
LPCVD
Thermal CVD
PECVD
PCVD
LCVD
High temperature CVD
Low temperature CVD
_SLIDE_7_

APCVD 와 LPCVD
APCVD(Atmospheric pressure Chemical Vapor Deposition)
reaction 기의 압력이 상압에서 이루어 지는데 reaction 실과 외부의 차단은

`advantage`
공정이 용이하다.
`단점`
입…(skip)
순서


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