화학Engineering - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제(problem)
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작성일 23-02-07 03:27본문
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세정온도를 75~85℃의 온도로 하는 이유는 이 온도구간이 적당히 높은 온도로서 세정액을 충분히 활성화함과 동시에 과산화수소의 분해가 급속히 진행되지 않는 낮은 온도이기 때문이다 이 방법은 일반적인 금속불순물 외에도 알칼리 금속들을 제거하는 데에도 결과 적이다.
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DHF 세정공정
RCA cleaning
Ionic contamination제거(Ionic Clean)
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Thin oxide layer제거 (Oxide Strip)
Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다. 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다.
Inorganic contaminants – 염, 용액의 이온, 무거운 metal 원자. recirculation systems이나 특별한 용액에 의해 제거된다. 파티클과 웨이퍼와의 상호 반발력에 의해 표면에서 재오염이 방지된다된다.
화학Engineering - wafer cleaning(웨이퍼 세척) 과제(problem)
Particles- 먼지, 꽃가루, clothing particles, 박테리아 등. 보통의 공간(1큐빅 피트 안에)에는0.5 micron 이상 크기의 입자 10 6 개 이상 있다 20 micron 이상의 지름을 갖는 입자의 경우 쉽게 가라 앉으므로 주로 문제가 되는 입자는 0.1 to 20 micron 의 지름을 갖는 입자이다. 세정 후 기판 표면은 15Å전후의 화학적 산화막이 형성되고 표면은 친수성 特性을 나타낸다.
설명
염산, 과산화수소 그리고 물을 1:1:5의 비율로 혼합하여 75~85℃ 정도의 온도에서 잔류 금속 불순물들(heavy metals, alkali ions 그리고 metal hydroxides)을 제거한다.
SC-1(Standard Clean-1, APM) 세정 공정
SC-2(Standard Clean-2, HPM) 세정공정
화학공학 ,wafer cleaning,웨이퍼 세척
불산과 물을 1:50의 비율로 혼합하여 25°C 정도의 온도에서 산화층을 제거한다.
암모니아(NH4OH), 과산화수소(H2O2) 그리고 물(H2O)을 1:1:5의 비율로 혼합하여 75~90℃ 정도의 온도에서 10~20분 정도 cleaning을 실시하는데 H2O2가 H2O+O2로 분리되어 강한 산화작용으로 표면 유기 물질들이 물에 잘 용해되는 복합물질을 형성하게 된다된다. 즉, H2O2의 산화와 NH4OH의 용해 및 식각으로 파티클을 제거한다. Inorganic contaminants – 염, 용액의 이온, 무거운 metal 원자. recirculation systems이나 특별한 용액에 의해 제거된다.
순서
Organic contaminants제거(Organic Clean)
다.