[사회과학] 스퍼터와 포포인트프로브에 관해서
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작성일 20-11-01 19:44본문
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소스 물질로 덮여 있는 플레이트는 기판보다 음전위로 유지되므로, 아르곤은 소스 물질이 덮인 플레이트로 가속 후 충돌되고, 소스원자와 분자들은 플레이트에서 방출되어 웨이퍼로 날아가 증착이 된다된다.
1.2 원리
sputtering법은 sputtering 가스를 진공분위기로 이루어진 camber내로 주입하여 성막하고자 하는 target물질과 충돌시켜 플라즈마를 생성시킨 후 이를 기판(substrate)에 coating시키는 방법이다. 스퍼터링 방식은 증류법보다 증착 능력, 복잡한 합금을 유지하는 능력이 뛰어나고, 고온에서 내열성 금속의 증착 능력이 뛰어난 특징이 있다 스퍼터링 공정의(定義) 수율은 충돌 이온의 입사각, 타겟 물질의 조성과 결합구조, 충돌 이온의 종류, 충돌 이온의 에너지 등으로 결정지어진다.
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1. 스퍼터
1.1 concept(개념)
스퍼터링(Sputtering)는 집적회로 생산라인 공정에서 많이 쓰이는 진공 증착법의 일종으로 비교적 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤등의 가스를 가속하여 타겟에 충돌. 원자를 분출시켜 웨이퍼 기판상에 막을 만드는 방법을 뜻한다. 전극에 전압을 가하면 Ar+가 이온화되고, 플레이트 간에 플라즈마가 발생한다.
일반적인 스퍼터링 시스템먼저 챔버를 진공에 가깝게 만든 후에 낮은 압력의 아르곤을 챔버 내로 흘려준다. 기판 위에 붙은 물질이 성장하게 되어 만들어진 것을 박막이라고 한다. 스퍼터링 공정을 진행하는 장비를 스퍼터라 한다. 스퍼터링 장비에서는 타겟쪽을 음극(Cathode)로 하고 기판쪽을 양극(Anode)로 한다. sputter장치의 시스템은 target쪽을 음극(cathod)으로 하고 기판쪽을 양극(anode)로 한다. 전원을 인가하면 주입된 sputtering 가스(Ar)는 음극 쪽에서 방출된 전자와 충돌하여 여기(exite)되어 Ar+로 되고 이 여기된 가스는 음극인 target쪽으로 끌려서 target과 충돌한…(drop)
실험결과/기타
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설명
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순서
다. 일반적으로 사용되는 sputtering 가스는 불활성 가스(inert gas)인 Ar을 사용한다.