접합 다이오드의 特性
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작성일 21-06-16 07:47본문
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설명
순서
인가된 순방향전압에 의해 potential barrier는 낮아진다.
인가된 역방향전압에 의해 potential barrier는 더욱 높아짐.(건전지의 “+”단자가 다이오드의 n쪽에 접 속되어 전자들은 그만큼 에너지가 낮아짐)
p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합된 것. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 된다된다.
(1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 효능를 측정한다. (3) 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.
(2) 접합 다이오드의 전압-전류 特性을 test(실험) 적으로 결정하고 도시한다.
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또한 최대 전력 또는 소비 정격은 다음 식으로 표시된다된다.
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.
n-QNR의 전자 중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자만 p+-QNR쪽으로 diffusion한다.
되어 전자들은 그만큼 에너지가 높아진다.
p+-QNR쪽으로 diffusion.
(3) 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.
(1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 효과를 측정한다. 1) pn접합 다이오드
.▸역방향 바이어스(reverse bias)(<0)
2)Si 다이오드의 여러 가지 온도에 따르는 전압-전류 특성 change(변화).
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n-QNR의 전자중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자(thermal equilibrium보다 많음) 만
접합 다이오드의 特性
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift한다. 이것이 바로 다이오드의 주된 특성이 된다된다.
⇒온도가 상승하면 역방향 포화전류 Is가 증가하고,순방향 전류도 증가한다. (2) 접합 다이오드의 전압-전류 특성을 실험적으로 결정하고 도시한다.)
p에서 n으로 전류가 흐른다.(건전지의 “-” 단자는 다이오드의 n쪽에 접속
다.
접합 다이오드의 특성,접합다이오드,다이오드
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.
(ID, VD : 특정한 동작점에서의 다이오드의 전류 및 전압)
▸평형상태
▸순방향 바이어스(forward bias)(>0)
n-QNR의 전자들은 potential barrier보다 낮은 에너지를 가지기 때문에 p+-QNR쪽으로 갈 수 없다.